主辦單位: 品勛科技 & 是德科技(keysight)
親愛的客戶,您好:
在快速變遷的科技領域中,高效能半導體元件的設計和測試是追求創新和可靠性的關鍵。無論是探索微機電感測晶片,還是解決低功率IC的設計挑戰,都需要深入分析元件的特性以及實際應用情境。為了解決這些多層面的問題,我們必須依賴先進的測試技術和解決方案。
特別邀請到南台科大 邱裕中特聘教授擔任講師,分享在氮化鎵(GaN)高電子遷移率電晶體(HEMTs)領域的專業見解,從元件的設計到測試,從性能評估到材料選擇,從理論到實際應用,涵蓋廣泛的議題,以期幫助參與者更好的應對面臨的技術挑戰。也邀請到宏汭精測 林明正總經理分享如何利用先進的測試技術來確保在元件實際操作狀態下的穩定性和效能。透過實際案例分析和最新技術分享,協助您更有效應對不斷複雜的元件測試需求。本研討會將與業界的專家和學者攜手,共同探討如何在半導體設計中運用嶄新的解決方案來優化元件的性能和耐用性。
2023 年 10 月 13 日 (五) 13:25~16:20
台南 沙崙綠能科技示範場域
台南市歸仁區高發二路360號
** 歡迎將本研討會分享給您的同事或朋友,經主辦方審核通過,推薦人與被推薦的新朋友皆可額外獲得BMI健康尺 **
13:25~13:55 開場及報到
14:00~14:40 The Development Status of GaN High Electron Mobility Transistors
* 講師: 南台科技大學 邱裕中 特聘教授
14:40~14:50 小憩片刻/講師Q&A
14:50~15:30 如何在氮化鎵元件操作狀態下執行動態測試?
* 講師: 宏汭精測科技 林明正 總經理
15:30~15:50 小憩片刻/攤位導覽
15:50~16:10 低功率 IC 特性分析解決方案
* 講師: 品勛科技技術部 Vincent Lin
16:10~16:20 問卷回填及幸運抽獎
針對GaN高頻通訊與功率市場來看整個未來技術發展,偏重GaN 基礎材料、磊晶知識、GaN HMET製作與結構技術以及目前領先的公司技術含量,屬於專業技術課程。
Dynamic Rdson Vth Vsd是動態測試的三個重要關鍵參數,市面上現有的半導體參數分析儀提供了GaN元件在靜止狀態下的Rdson、Vth、Vsd測試需求,但要如何得知在實際操作狀態下的Rdson、Vth、Vsd呢?花了大把時間設計的GaN元件,若無法得知操作狀態下的動態參數,又要如何確保元件上系統後的效果呢?要加速GaN的商業化、量產化,首先要確保元件的穩定及可用性。
3. 低功率 IC 特性分析解決方案 ( 講師: 品勛科技 Vincent Lin)
儘管創新週期不斷縮短,相關標準不斷變化,但在半導體元件的設計和推廣過程中仍然需要耗費大量的時間。在整個設計週期中,數位開發工程師必須連接並測試待測物(DUT)上的多個埠,以進行故障診斷和IC性能的評估。若未能使用高密度且自動化的解決方案來進行測試,傳統的測試方法在驗證複雜的多埠設計時可能會導致交付進度的延遲風險。在本講題中,我們將分享Keysight最新的PZ2100系列高密度SMU解決方案,以協助工程師有效應對這一挑戰,讓使用者能夠更專注的進行評估工作,同時也有效縮短上市時間,無需過多擔心同步問題!
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多通道示波器>> EXR系列示波器
高壓差動探棒>>DP0001A
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